芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术

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芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术

时间:2019-07-03 12:45:21 来源:网络整理 作者:匿名 热度:3208℃

能者上,庸者下。去年,根据季度考核、年度考核结果,长春已先后组织调整干部17批次,涉及346人,其中提拔170人,调整81人,免职95人。在积极干事创业风气的引领下,长春市各区县的“竞争”也日趋“白热化”。“现在大家那是‘呱唧呱唧往前蹽’啊!”焦晓辉说,班子成员走出了办公室,走向了自己服务的项目中,为企业、群众现场解决难题。

复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队,开发了一种共形六方氮化硼修饰技术,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术,能让芯片材料性能显著提升。

专家表示,这一技术具有高普适性,不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件,还可以推广到其他材料和更多器件应用中,共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。

此外,职工在非实际工作地租住住房,其实际工作地及租房所在地均无自有住房的,可按相关规定提取住房公积金支出所租住住房租金。

新华社纽约12月3日电(记者刘亚南)纽约股市三大股指3日上涨。

针对上述问题,督察组将进一步深入调查,分析原因,做到见事见人见责任,对河长制形同虚设问题将依法严肃处理。

新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快,但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术,有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。

研究表明,在一个芯片中,半导体材料和绝缘体材料之间,以六方氮化硼为材质的界面材料,将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是,研究人员先将其在别的“盆”里种出来,然后移栽到芯片材料上。

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